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电子元器件详细资料 » IC[22073] » IXFN360N10T
型号:IXFN360N10T类别:FET制造商:IXYS
封装:SOT-227-4,miniBLOC描述:MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B

详细参数

类别FET
描述MOSFET N-CH 100V 360A SOT-227B
系列HiPerFET™
制造商IXYS
FET型MOSFET N 通道,金属氧化物
FET特点标准
漏极至源极电压(Vdss)100V
电流_连续漏极(Id)0a025000C360A
开态Rds111最大2220a0IdwwwwVgs0a025000C2.6 毫欧 @ 180A,10V
Id时的Vgs(th)111最大2224.5V @ 250µA
闸电荷(Qg)0a0Vgs505nC @ 10V
输入电容(Ciss)0a0Vds36000pF @ 25V
功率_最大830W
安装类型底座安装
封装/外壳SOT-227-4,miniBLOC
供应商设备封装SOT-227B
包装管件

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